Interconexión de matrices apiladas en 3D, microprotuberancias de pilares de Cu enterrados a 760 µm de profundidad, secciones transversales realizadas en menos de una hora. Láser ZEISS Crossbeam.
Aplicaciones de microscopía para nanomateriales y nanociencias

Investigación en semiconductores y electrónica

Haciendo realidad el futuro de la electrónica, la ciberseguridad y los dispositivos de computación cuántica

La nanotecnología ha contribuido a muchos avances increíbles en una gran cantidad de industrias, incluyendo la electrónica, la ciberseguridad y la computación cuántica. Durante años, esos avances han sido el resultado de la ley de Moore y la consistente miniaturización de los tamaños de transistor, permitiendo gradualmente el desarrollo de dispositivos más rápidos, más pequeños y más potentes.

Sin embargo, la fabricación de futuros dispositivos a nanoescala resulta cada vez más difícil, a medida que la ley de Moore se acerca a su límite. Como consecuencia de los efectos como la tunelización mecánica cuántica, los científicos no pueden hacer estos dispositivos más pequeños. En cambio, mediante el estudio de diferentes materiales y tecnologías, como el apilado vertical de transistores (como en NAND en 3D), los investigadores pueden proporcionar la potencia de procesamiento necesaria para que estas aplicaciones avancen.

No resulta fácil caracterizar este tipo de dispositivos  

Si usted trabaja como científico investigando en el campo de la electrónica, la ciberseguridad o la computación cuántica, sabrá lo difícil que es acceder a lugares enterrados a mucha profundidad en estructuras como NAND en 3D. Sin embargo, con el flujo de trabajo adecuado con ablación láser dentro de un FIB-SEM, puede acceder a estas regiones de forma rápida y fácil, con un daño mínimo para su muestra. La tomografía en 3D dentro de un FIB-SEM también le puede ayudar a obtener información fundamental sobre su muestra, información que normalmente no estaría disponible con las herramientas estándar.

En ciberseguridad, el desafío radica en captar imágenes de chips de procesadores grandes con alta resolución y elevada densidad de píxeles. Estos chips necesitan una captura de imágenes de zonas grandes que las soluciones de captura de imágenes estándar son incapaces de procesar. La solución es el software y hardware de captura de imágenes sin supervisión (automatizado) que le permiten captar imágenes de estas áreas grandes rápidamente. Y en cuanto a la computación cuántica, el desafío es desarrollar (y captar) imágenes de estructuras inferiores a 10 nm a fin de crear espacios vacíos en ubicaciones muy específicas.

El siguiente paso

Las soluciones de ZEISS Microscopy le permiten resolver estos desafíos acuciantes en la investigación en electrónica, ciberseguridad y computación cuántica. Por ejemplo, ZEISS MultiSEM, diseñado para el funcionamiento continuo y fiable las 24 horas, los 7 días de la semana, es el instrumento SEM más rápido del mundo. Le proporciona una velocidad de adquisición de hasta 91 haces de electrones paralelos para captar imágenes de muestras en escala de centímetros a resolución nanométrica. 

Y la plataforma modular FIB-SEM ZEISS Crossbeam le permite capturar imágenes SEM en alto rendimiento y a bajo kV, en combinación con un elevado rendimiento de la muestra de FIB. Pero esto también le permite mejorar su FIB-SEM de forma modular, por ejemplo mediante la instalación de un láser para la ablación masiva del material, para que su microscopio mantenga el ritmo de las demandas de su investigación.

Vídeos de instrucciones

  • LaserFIB

    Introducción de un flujo de trabajo para la ablación masiva del material

  • Flujo de trabajo «corte hasta la región de interés»

    Cómo preparar una muestra de TEM con ayuda del láser


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Descargas

    • Achieving Nano-scaled EDS Analysis in an SEM

      with a Detector for Transmission Scanning Electron Microscop

      Tamaño de archivo: 863 KB
    • Voltage Contrast in Microelectronic Engineering

      Tamaño de archivo: 1 MB
    • ZEISS GeminiSEM 500

      Nanometer scale EDS Analysis using Low-kV FE-SEM and Windowless EDS Detector

      Tamaño de archivo: 1 MB