Cristales de MoS2 en 2D cultivados por CVD sobre sustrato de Si/SiO2: La imagen RISE (microscopía electrónica de barrido y captura de imágenes Raman) muestra las arrugas y las partes superpuestas de los cristales MoS2 (verde), las multicapas (azul) y las capas individuales (rojo). ZEISS Sigma con RISE.
Aplicaciones de microscopía para nanomateriales y nanociencias

Materiales con baja D

Patrón de menos de 10 nm con captura de imágenes de alta resolución y elevada densidad y análisis de las superficies de los materiales

Los avances recientes en nanotecnología han impulsado el desarrollo de sistemas FIB-SEM que permiten una captura de imágenes de mayor resolución a menor kV. Para el análisis superficial de materiales con baja D, como MoS2, monocapas de grafeno, nanohilos, nanopartículas y puntos cuánticos, se necesita un excelente rendimiento de captura de imágenes a bajo kV.

Los desafíos de la captura de imágenes de materiales con baja D

Debido a los efectos del confinamiento cuántico, estos materiales de baja D demuestran propiedades nóveles que no se habían observado en sus equivalentes más grandes. Por tanto, la captura de imágenes de alto rendimiento a bajo kV no es el único requisito. También es necesario poder depositar materiales sobre escalas de longitud cada vez más pequeñas (a menudo por debajo de 10-20 nm). Por ejemplo, los dispositivos basados en grafeno normalmente necesitan tener tamaños de características por debajo de 20 nm para aprovechar el confinamiento cuántico. Esto significa que necesita crear patrones de contactos óhmicos a esta escala de longitud antes de poder probar el dispositivo. 

Otro desafío es la fabricación de estructuras con alta densidad de patrones. Esto puede ser un problema con las herramientas FIB-SEM estándar, ya que la química del haz limita la densidad debido a los efectos de proximidad y halos de deposición. Por otra parte, con las capacidades de fabricación por debajo de 10 nm, el instrumento adecuado puede ayudar a mejorar esta densidad de patrones. 

Finalmente, la creación de imágenes exhaustivas en 3D multimodales y con múltiples escalas de su región de interés siempre ha sido problemática. Esto se aplica en especial cuando se trata de materiales de baja D, como nanopartículas. Pero si se hace de forma fiable, este tipo de análisis le puede proporcionar información valiosa sobre su muestra.

ZEISS Microscopy ofrece potentes flujos de trabajo correlativos

Las soluciones de ZEISS Microscopy le permiten resolver estos desafíos acuciantes en la investigación en electrónica, ciberseguridad y computación cuántica. Por ejemplo, ZEISS MultiSEM, diseñado para el funcionamiento continuo y fiable las 24 horas, los 7 días de la semana, es el instrumento SEM más rápido del mundo. Le proporciona una velocidad de adquisición de hasta 91 haces de electrones paralelos para captar imágenes de muestras en escala de centímetros a resolución nanométrica. Haga clic aquí para obtener más información.

Y la plataforma modular FIB-SEM ZEISS Crossbeam le permite capturar imágenes SEM en alto rendimiento y a bajo kV, en combinación con un elevado rendimiento de la muestra de FIB. Pero esto también le permite mejorar su FIB-SEM de forma modular, por ejemplo mediante la instalación de un láser para la ablación masiva del material, para que su microscopio mantenga el ritmo de las demandas de su investigación.

Vídeos de instrucciones

  • Preparación de TEM

    Flujo de trabajo estándar

  • Preparación de TEM

    Flujo de trabajo de vista planar

  • Preparación de TEM

    Flujo de trabajo de vista posterior


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Descargas

    • Achieving Nano-scaled EDS Analysis in an SEM

      with a Detector for Transmission Scanning Electron Microscop

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    • ZEISS GeminiSEM 500

      Nanometer scale EDS Analysis using Low-kV FE-SEM and Windowless EDS Detector

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    • In situ SEM and Raman Investigations on Graphene

      Comparison of graphene, graphene oxideand reduced graphene oxide

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