FIB-SEM Crossbeam 750 de ZEISS

ZEISS Crossbeam 750 incorpora una nueva lente objetivo Gemini 4 field-free que mejora el rendimiento de captura de imágenes y la estabilidad durante el fresado. Esto permite un control preciso en flujos de trabajo exigentes, como la preparación de láminas delgadas TEM por debajo de 20 nm, la tomografía 3D determinista y el análisis avanzado de semiconductores. Gracias a la tecnología Mill + SEM HDR, el sistema ofrece captura de imágenes en directo y de alta resolución durante el fresado, lo que lo hace ideal para flujos de trabajo que requieren precisión en el punto final y protección de estructuras cruciales del dispositivo.

La integración de la lente objetivo Gemini 4 con la tecnología Mill + SEM HDR proporciona captura de imágenes SEM continua y de alta resolución durante el fresado. Esto permite a los usuarios monitorizar características enterradas e interfaces delicadas en tiempo real, ajustar los planos de fresado sin detener el proceso y controlar con confianza los puntos finales para la preparación de láminas delgadas por debajo de 20 nm.

La captura de imágenes continua es fundamental para una alineación precisa y ajustes en tiempo real durante la preparación de láminas delgadas. Este enfoque reduce la necesidad de reprocesado, mejora el rendimiento y garantiza resultados consistentes en láminas ultradelgadas, especialmente en arquitecturas de dispositivos complejas como pilas de transistores, vías y estructuras de compuertas.

Crossbeam 750 utiliza la columna FIB Ion-sculptor con acabado a energías FIB de hasta 500 V, lo que reduce la amorfización y preserva los detalles estructurales finos. Esto garantiza una preparación fiable de muestras delicadas, incluidos materiales sensibles al haz como películas delgadas, polímeros y capas avanzadas de semiconductores.

Sí. Crossbeam 750 está optimizado para materiales sensibles al haz. La combinación de captura de imágenes SEM a bajo voltaje de aceleración (kV) y fresado FIB de baja energía minimiza el daño y preserva las características a escala nanométrica. Esto lo hace adecuado para muestras delicadas como películas delgadas, tejidos biológicos e interfaces de semiconductores.

Crossbeam 750 ofrece un control preciso del punto final y preparación de láminas delgadas por debajo de 20 nm, lo que permite el análisis TEM de nodos avanzados y el diagnóstico de fallos. El pulido a bajo voltaje de aceleración (kV) protege capas e interfaces sensibles del dispositivo y proporciona superficies con calidad metrológica para una caracterización precisa de pilas de transistores, vías e interconexiones.

Crossbeam 750 permite un seccionado transversal limpio, un adelgazamiento preciso y un acabado de bajo daño para la captura de imágenes TEM de alta resolución en estructuras complejas a escala micro y nanométrica. El sistema es ideal para materiales como metales, cerámicas y polímeros, ya que preserva las características nanométricas y permite una caracterización y un análisis 3D fiables.

Sí. Crossbeam 750 admite el fresado guiado por SEM para muestras biológicas, lo que permite una preparación dirigida de membranas, tejidos e interfaces de biomateriales. El adelgazamiento de baja energía realizado en condiciones criogénicas minimiza el daño y preserva la calidad de las láminas delgadas, lo que permite a los investigadores capturar la microestructura real mediante la captura de imágenes a bajo voltaje de aceleración (kV).

El software ZEN core para microscopía electrónica de ZEISS integra estrechamente la adquisición, el control y el análisis para los flujos de trabajo del Crossbeam 750. ZEN core admite la automatización basada en recetas, el procesamiento por lotes y las operaciones SEM/FIB sincronizadas, lo que garantiza resultados consistentes entre usuarios y muestras. Además, el ecosistema ZEISS arivis permite un análisis escalable y basado en IA de grandes volúmenes de datos, y respalda una interpretación eficiente, la documentación y los flujos de trabajo posteriores.