ZEISS Crossbeam 750 FIB-SEM

ZEISS Crossbeam 750は、新しいGemini 4フィールドフリー対物レンズを搭載し、ミリング中のイメージング性能と安定性を向上させました。これにより、サブ20 nmのTEMラメラ作製、高い再現性を実現する3Dトモグラフィー、高度な半導体解析などの要求の厳しいワークフローで、精密な制御が可能になります。ハイダイナミックレンジ（HDR） Mill + SEMを使用することで、ミリング中にライブで高分解能のイメージングを提供し、エンドポイントの精度と重要デバイス構造の保護が求められるワークフローに最適です。

Gemini 4対物レンズとHDR Mill + SEM技術の統合により、ミリング中に連続的な高分解能SEMイメージングを実現します。これにより、ユーザーは深部にある構造や繊細なインターフェースをリアルタイムで監視し、停止することなくミリング面を調整、サブ20 nmラメラ作製のエンドポイントを確実に制御できます。

連続イメージングは、ラメラ作製中の精密な位置合わせとリアルタイム調整に不可欠です。これにより、再作業の必要を減らし、歩留まりを向上させ、特にトランジスタスタック、ビア、ゲート構造などの複雑なデバイス構造において、超薄ラメラの一貫した結果を保証します。

Crossbeam 750は、Ion-sculptor FIBカラムを用いて500 VまでのFIBエネルギーで仕上げることで、アモルファス化を抑制しつつ、微細構造を保持します。これにより、薄膜、ポリマー、高度な半導体層といったビーム感受性材料を含むデリケートな試料も信頼性高く作製可能です。

はい。Crossbeam 750はビーム感受性試料に最適化されています。低加速電圧SEMイメージングと低エネルギーFIBミリングの組み合わせにより、損傷を最小化。ナノスケール構造を保持し、薄膜、生体組織、半導体インターフェースなどの繊細な試料にも対応。

Crossbeam 750の精密なエンドポイント制御とサブ20 nmラメラ作製により、高度ノードのTEM解析や不良診断が可能。低エネルギーでの研磨により、繊細なデバイス層やインターフェースを保護しつつ、トランジスタスタック、ビア、インターコネクトの正確な特性のための計測品質表面を提供。

Crossbeam 750は、クリーンな断面作製、精密な薄片化、低ダメージ仕上げにより、複雑なマイクロ・ナノスケール構造の高分解能TEMイメージングが可能です。金属、セラミックス、ポリマーなどの材料に最適で、ナノスケールの特徴を保持し、信頼性の高い3D特性評価と解析を支援します。

はい、対応しています。Crossbeam 750は、生体試料向けにSEMガイドミリングをサポートしており、膜や組織、生体材料インターフェースのなどの特定構造を狙った前処理を可能にします。低エネルギー薄片化（クライオ条件下）により損傷を最小化し、ラメラ品質を保持することにより、低加速電圧イメージングで真の微細構造を可視化できます。

ZEISS ZEN core EMソフトウェアは、Crossbeam 750のワークフローにおいて、取得・制御・解析を緊密に統合しています。ZEN coreにより、レシピベースの自動化、バッチ処理、SEM/FIB同期操作をサポートし、ユーザーや試料を問わず一貫した結果を保証します。さらに、ZEISS arivisエコシステムにより、大規模データセットのスケーラブルでAI駆動の解析を可能にし、効率的な解釈、文書化、下流ワークフローを支援します。