アナログマイクロチップとICパッケージ
アナログ/RF、パワー、MEMS/センサー

複雑な新材料や構造の高度な解析

正確な故障解析により市場投入までの時間を短縮

モバイル通信、モノのインターネット(IoT)、クラウドコンピューティング、自動車の電動化により、微小電気機械システム(MEMS)のような高性能の「More than Moore」半導体素子へのニーズが高まっています。そのために、新しい材料とプロセス、すなわち新しいシリコン基板や封入技術の統合が必要とされています。バンドギャップの大きい直接遷移型半導体であるヒ化ガリウム(GaAs)、炭化ケイ素(SiC)、窒化ガリウム(GaN)は、機器のメーカーや開発者にとって新たな課題です。こういった機器の多くは従来の集積回路も統合するため、製造や封入が難しくなっています。

メーカーが先端機器の開発サイクルと市場投入までの時間を短縮するためには、複雑な新材料の集積と根本的な故障解析に役立つ高度な解析ツールが必要です。

新たな問題と材料の特性評価

ZEISSはR&D、故障解析、品質保証のための多彩な顕微鏡ワークフローをご用意しています:

  • 様々な材料における新たな問題をマルチスケールで同定・特性評価するための、非破壊X線顕微鏡、電子顕微鏡、光学顕微鏡ソリューションの幅広いポートフォリオ
  • チーム内やグローバルサプラーチェーンにある別の企業との共同研究で相関・マルチモーダルワークフローを実現する、企業向けソフトウェアソリューション
  • 複雑な顕微鏡アプリケーションに対して最新のソリューションを提供する、光学、電子工学、材料科学の専門家チーム

アナログ/RF、パワー、MEMS/センサーのアプリケーション

5G技術やエッジデバイスの改善が求められる中で、新材料、プロセス、様々な機能の機器の統合が進められています。ZEISSは、欠陥・構造・インターフェースを特性評価するための、顕微鏡解析・ワークフローの最新のソリューションを提供し、開発サイクルと市場投入までの時間を短縮します。

  • GaN HEMTの背面のラメラ、明視野

    明視野(BF)、質量厚さコントラスト

    GaN HEMTの背面のラメラ、明視野

    明視野(BF)、質量厚さコントラスト

    明視野(BF)、質量厚さコントラスト

  • GaN HEMTの背面の環状ラメラ、暗視野

    環状暗視野(ADF)、反転した質量厚さコントラスト

    GaN HEMTの背面の環状ラメラ、暗視野

    環状暗視野(ADF)、反転した質量厚さコントラスト

    環状暗視野(ADF)、反転した質量厚さコントラスト

  • GaN HEMTの背面のラメラ、HAADF

    高角度環状暗視野(HAADF)、原子番号コントラスト

    GaN HEMTの背面のラメラ、HAADF

    高角度環状暗視野(HAADF)、原子番号コントラスト

    高角度環状暗視野(HAADF)、原子番号コントラスト

  • GaN HEMTの背面のラメラ、配向暗視野

    配向暗視野(ODF)、強力な結晶方位コントラスト

    GaN HEMTの背面のラメラ、配向暗視野

    配向暗視野(ODF)、強力な結晶方位コントラスト

    配向暗視野(ODF)、強力な結晶方位コントラスト

FIBにより薄膜化された層板

Si上のGaN

GaN-高電子移動度トランジスタ(HEMT)の薄膜化された層板の30 kVでのSTEM画像。STEM検出器の別のセグメントを使用し、異なる方法で試料の構造を示しています。ZEISS Crossbeam FIB-SEMにより薄膜試料作製とSTEMイメージングを実施しました。

IGBTの断面とEDX元素分析

IGBTデバイスの断面とEDX​

IGBTの断面とEDX元素分析

IGBTデバイスの断面とEDX​

絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)のゲートの端の観察。ZEISS Crossbeam 550 FIB-SEM上で、断面解析とEDX元素分析を行いました。EDX元素分析を組み合わせたCrossbeam 30 kVでの明視野STEM-in-SEM画像で、層板表面に結晶質ケイ素析出物を認めました。

SiC MOSFETのドーパントプロファイル

SiC MOSFETのドーパントプロファイルのイメージング

SiC MOSFETのドーパントプロファイル

SiC MOSFETのドーパントプロファイルのイメージング

ZEISS Crossbeam FIB-SEMによって1.5 kVでイメージングした開口SiC MOSFET。画像では作用の異なる注入領域がはっきりとわかります。N型の電極はゲートに向かう濃い色のバンドとして下の方に示され、P型基板は明るい色で示されています。この方法を使うことで回路の状態や配置が明らかになります。

ナノスケールでのスマートフォン基板の3D X線イメージング

加速度計の3D画像 - MEMS

スマートフォンのジャイロスコープ/加速度計の3D解析

加速度計の3D画像 - MEMS

スマートフォンのジャイロスコープ/加速度計の3D解析

シリコンマイクロコーム構造を1 µm/ボクセルの分解能で3D X線再構築。​

X線顕微鏡ZEISS Xradia Versaで取得

加速度計のMEMSの微細フィンの平面図

微細フィンの高解像度画像

加速度計のMEMSの微細フィンの平面図

微細フィンの高解像度画像

0.3 µm/ボクセルの分解能でイメージングした同じ微細フィンの再構築平面図。​

X線顕微鏡ZEISS Xradia Versaで取得

加速度計のMEMSの微細フィンの断面図

微細フィンの再構築スライス

加速度計のMEMSの微細フィンの断面図

微細フィンの再構築スライス

0.3 µm/ボクセルの分解能でイメージングした同じ微細フィン(2.1 µm)の再構築断面図。​

X線顕微鏡ZEISS Xradia Versaで取得

システム、ICパッケージ、インターコネクトの非破壊調査​

スマートフォンの3D X線イメージング

スマートフォン

スマートフォンの3D X線イメージング

スマートフォン

スマートフォン全体を50 µm/ボクセルの分解能で3D X線イメージング。​

ZEISS Xradia ContextマイクロCTで取得

PMICパッケージの再構築平面図

電源制御ICパッケージ

PMICパッケージの再構築平面図

電源制御ICパッケージ

11 µm/ボクセルの分解能でイメージングした電源制御ICパッケージ(PMIC)の再構築平面図。​

ZEISS Xradia ContextマイクロCTで取得

PMICパッケージのインターコネクトの断面

PMICのインターコネクト

PMICパッケージのインターコネクトの断面

PMICインターコネクトの断面

2.1 µm/ボクセルの分解能でイメージングしたPMICのソルダーバンプとビアの再構築断面図。​

X線顕微鏡ZEISS Xradia Versaの独自機能Resolution at a Distanceを使用して取得。

ナノプロービング技術EBACによるアナログICのイメージング
ナノプロービング技術InLensによるアナログICのイメージング

EBACによるアナログチップのイメージング

GeminiSEMで、ナノプロービング技術を使って20 kVで観察した電子アナログチップ。電子ビーム吸収電流(EBAC)イメージングからは、内部の配線とpn接合の相互接続に関する情報が得られます。

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    • ZEISS Xradia Context microCT

      3D submicron-resolution X-ray microCT with superior image quality

      ページ: 2
      ファイルサイズ: 1 MB

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