Analyse des défaillances et caractérisation 3D des dispositifs

Le laser femtoseconde retire en quelques minutes des volumes de l'ordre du millimètre, augmentant le rendement et procurant un accès rapide aux propriétés enfouies des dispositifs pour la microscopie à rayons X ainsi que pour la préparation des piliers APT et des lamelles TEM à vaste surface. Il produit des coupes transversales soignées compatibles avec l'EBSD et l'EDS, le faisceau d'ions focalisé étant réservé au polissage final pour réduire le temps et les potentiels dommages.

Voici les possibilités qu'il vous offre

• Accédez rapide aux structures profondément enfouies.
• Préparez des coupes transversales d'une largeur et d'une profondeur de l'ordre du millimètre.
• Minimisez les dommages et les effets de la chaleur grâce à des impulsions laser ultra-courtes.
• Localisez les régions d’intérêt dissimulées en corrélant vos informations avec des données de microscopie à rayons X.
• Automatisez vos tâches et effectuez le transfert vers la chambre FIB sans interruption.
  

ZEISS Crossbeam est disponible avec deux tailles de chambre différentes pour élargir les capacités d'analyse, d'imagerie et de modification d'échantillon. La configuration avec chambre large prend en charge le traitement de grands échantillons et de plaquettes entières allant jusqu'à 200 mm, un gain de flexibilité dans les flux de tâches pour les semi-conducteurs.

Points forts

• Platines de 150 mm ou 200 mm : platine standard ou haute précision (HP) en option
• Sas de 200 mm avec extensions des rails pour faciliter le transfert des plaquettes
• Dispositif de surélévation de la NavCam pour l'imagerie de plaquettes complètes et l'exploration rapide des régions d'intérêt
• Garde-fous intégrés pour empêcher les interférences entre la chambre des plaquettes et la colonne
• Capacité pour le transfert de charges lourdes (>500 g) avec un système de barres et de supports robustes
  

La colonne FE-SEM du Crossbeam est dotée d'optiques électroniques Gemini à objectif sans champ. Cela minimise l'exposition magnétique et rend possible l'imagerie haute résolution sans distorsion sur un large champ d'observation, même avec inclinaison, tout en préservant l'intégrité des échantillons durant l'examen des semi-conducteurs fragiles.

• Gemini 1 : disponible sur Crossbeam 350, offre une bonne flexibilité et prend en charge l'imagerie à pression variable pour les échantillons de charge ou à dégazage.
• Gemini 2 : disponible sur Crossbeam 550, livre une imagerie haute résolution à faible voltage, combiné au courant de faisceau requis pour les flux de tâches d'analyse et de préparation complexes.
• Gemini 4 : intégré dans Crossbeam 750, augmente de manière significative la résolution / le rapport signal sur bruit à faible voltage, même avec inclinaison, tout en réduisant l'influence de l'objectif sur le champ de la sonde FIB à faible voltage dans des conditions de MEB à haute résolution.

FIB Ion-sculptor
La colonne à FIB Ion-sculptor couvre la plage allant de 1 pA à 100 nA, pour un enlèvement rapide de la matière et des finitions maîtrisées à faible énergie au sein d'un flux de tâches unique et évolutif.