蔡司Crossbeam——专为高效率三维分析和样品制备量身打造的FIB-SEM​
产品

蔡司Crossbeam​

专为高通量三维分析和样品制备量身打造的FIB-SEM​

将高分辨率场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)的成像和分析性能与新一代聚焦离子束(FIB)的加工能力相结合。无论在科研机构还是工业实验室,您都可以在多用户实验平台中工作。利用蔡司Crossbeam的模块化平台概念,根据日益增长的需求升级您的系统,例如使用LaserFIB进行大规模材料加工。在切割、成像或执行三维分析时,Crossbeam将提升您的FIB应用效率。

  • 使您的SEM具备强大的洞察力
  • 提升您的FIB样品制备效率
  • 在您的FIB-SEM分析中体验出色的三维空间分辨率

TEM薄片制备

研究NanoSQUIDS微纳超导量子干涉装置的晶体结构

  • 通过此视频,了解Crossbeam的TEM薄片制备工作流是如何帮助德国图宾根大学的Benedikt Müller和NMI Reutlingen的Claus Burkhardt与图宾根大学的R. Kleiner教授和D. Koelle教授合作,研究通过离子束纳米光刻制造的具有约瑟夫逊结的NanoSQUIDS的晶体结构。
使您的SEM具备强大的洞察力

使您的SEM具备强大的洞察力

  • 使用Gemini电子光学系统从高分辨率扫描电子显微镜(SEM)图像中获取真实的样品信息。​
  • 在进行敏感表面二维成像或三维断层扫描时,Crossbeam的SEM性能值得您信赖。
  • 加速电压非常低时也可获得高分辨率、高衬度和高信噪比的清晰图像。
  • 借助一系列探测器实现样品的全方位表征。使用Inlens EsB探测器获得更纯的材料成分衬度。
  • 研究不受荷电伪影干扰的非导电样品。
提升您的FIB样品制备效率​

提升您的FIB样品制备效率​

  • 智能FIB扫描策略快速且精准,移除材料比以往实验快40%以上。​
  • Ion-sculptor FIB镜筒采用了一种全新的加工方式:您可以尽可能减少样品损伤,提升样品质量,从而加快实验进程。 ​
  • 使用高达100 nA的离子束束流,高效而精准地处理样品,并保持高FIB分辨率。​
  • 制备TEM样品时使用Ion-sculptor FIB的低电压功能,以获得超薄样品,同时尽可能降低非晶化损伤。​
Crossbeam的聚焦离子束镜筒,蔡司Ion-sculptor。
焊料的三维断层扫描,该图像是成像与EDS分析相结合的多模式工作流程的一部分。(图像宽度38 µm)。

焊料的三维断层扫描,该图像是成像与EDS分析相结合的多模式工作流程的一部分。(图像宽度38 µm)。

焊料的三维断层扫描,该图像是成像与EDS分析相结合的多模式工作流程的一部分。(图像宽度38 µm)。
焊料的三维断层扫描,该图像是成像与EDS分析相结合的多模式工作流程的一部分。(图像宽度38 µm)
焊料的三维断层扫描,该图像是成像与EDS分析相结合的多模式工作流程的一部分。(图像宽度38 µm)

在您的FIB-SEM分析中体验出色的三维空间分辨率

  • 体验整合的三维EDS和EBSD分析所带来的优势。​
  • 在切割、成像或执行三维分析时,Crossbeam将提升您的FIB应用效率。​
  • 使用我们快速准确的断层扫描及分析软硬件包蔡司Atlas 5来扩展您Crossbeam的性能。
  • 使用Atlas 5中集成的三维分析模块可在断层扫描的过程中进行EDS和EBSD分析。
  • 尽享FIB-SEM断层扫描中优异的三维空间分辨率和各向同性的三维体素尺寸。使用Inlens EsB探测器探测小于3 nm的深度,并可获得表面敏感的材料成分衬度图像。
  • 在切割过程中收集连续切片图像以节省时间。尽享可跟踪的三维体素尺寸和保证图像质量的自动流程为您带来的优势。

 

 

Crossbeam系列

利用低真空操作,使用可变压力模式对含有气体或带电的样品进行原位实验。借助Gemini电子光学系统和Ion-sculptor FIB,实现高质量成像和高效率。
蔡司Crossbeam 350
蔡司Crossbeam 350
选择更适配样品的样品仓尺寸,对要求严苛的样品进行制备与表征。Gemini 2电子光学系统即使在低电压和高束流条件下亦可提供高分辨率。如需在高束流条件下获得高分辨率图像以及进行快速分析,它无疑是您的理想之选。
蔡司Crossbeam 550
蔡司Crossbeam 550
该设备可助您切割大量材料和制备大样品。交换舱内的飞秒激光增强了原位研究,避免了腔室污染,并可配置Crossbeam 350和550。有了它,您可快速找到进入深埋结构的入口,或制备超大或高纵横比的结构(如原子探针)。
Crossbeam laser
Crossbeam laser
这种用于在冷冻条件下进行TEM薄片制备和体积成像的解决方案能够实现接近原生状态的成像。关联宽场、激光扫描和聚焦离子束扫描电子显微镜,同时保持多功能FIB-SEM的灵活性。
冷冻关联工作流程
冷冻关联工作流程

了解Crossbeam上的工作流 ​

了解向导式工作流程如何帮助您量身定制激光、TEM薄片制备和相关的冷冻工作流程

观看此动画并了解LaserFIB工作流程如何帮助您优化和自动化激光加工。

Crossbeam Laser工作流程

快速到达感兴趣的深埋位置,进行跨尺度的关联工作流程,并通过大体积分析获得更好的样品代表性。执行EDS或EBSD等三维成像和分析。现在,半自动设备可以帮助您节省时间,提高工作效率。

为您的Crossbeam添加一个飞秒激光器,从而获得在特定位置极快速制备样品的优势。保持FIB-SEM样品仓清洁,并在需要时通过半自动工作流程远程操作系统。

您可获得以下优势:

  • 快速实现深埋结构的表征
  • 通过飞秒激光在真空环境中对样品进行加工,有效避免损伤及热影响区
  • 激光加工在独立的腔室内完成,不会污染FIB-SEM主腔室和探测器
  • 自动化进行样品的激光加工、抛光和清洁,并将样品转移到FIB样品仓中
  • 制备从TEM薄片截面到微柱阵列的多种样品,并使用针对不同材料的预装配方高效工作
  • 快速访问、优化制备和多尺度

    采用铜microbump和倒装芯片互连技术的多芯片封装,激光切割和FIB抛光截面,沟槽深度1.6mm。

    快速访问、优化制备和多尺度

    采用铜microbump和倒装芯片互连技术的多芯片封装,激光切割和FIB抛光截面,沟槽深度1.6mm。

    1.快速访问、优化制备和多尺度

    • 揭示深埋结构比PFIB(等离子FIB)快数个数量级
    • 通过飞秒激光在受控环境中对样品进行加工,确保降低损伤、缩小热影响区
    • 保持从激光加工到FIB分析的无空气工作流程;选择氮气或氩气作为环境气体
    • 通过定制的工作流程,将感兴趣区域与之前采集的三维X射线显微镜或其他外部数据集相关联
    • 使用全新Burst模式,提高切割速度和性能
  • 工作流程自动化

    LaserFIB,细节图,激光样品仓和激光光学系统在右侧,FIB-SEM样品仓在左侧。

    工作流程自动化

    LaserFIB,细节图,激光样品仓和激光光学系统在右侧,FIB-SEM样品仓在左侧。

    2.工作流程自动化

    • 在使用LaserFIB制备多个样品时,自动化转移和激光加工可节省时间,提高工作效率
    • 使用激光、电动转移杆和随后的FIB-SEM来远程操作系统,并创建无人值守的自动化实验
    • 现在,单击软件即可在激光与FIB-SEM之间执行注册程序
    • 脚本可以帮助创建自动化工作流程并提高实验效率
    • 使用脚本还可组合不同配方或激活真空条件(氮气或氩气)
  • 不会污染,确保高效率和易用性

    三个激光切割铜的沟槽,横向射流关(上)和开(下)。

    不会污染,确保高效率和易用性

    三个激光切割铜的沟槽,横向射流关(上)和开(下)。

    3.不会污染,确保高效率和易用性

    • 激光加工在独立的腔室内完成,不会污染FIB-SEM主腔室和探测器
    • 保护玻璃窗和横向射流可助您一臂之力。横向射流(氮气或氩气气流)可防止被切割下来的材料沉积在激光光学系统下方的保护玻璃上,从而在激光加工过程中保持保护玻璃洁净 
    • 激光还有助于清洁沟槽周围重新沉积的材料,在多个位置制备的过程中尤为有用 
  • 迈入样品制备的新世界

    使用Burst模式在约30秒内激光切割的25个硅微柱阵列,准备使用镓FIB进行精抛。

    迈入样品制备的新世界

    使用Burst模式在约30秒内激光切割的25个硅微柱阵列,准备使用镓FIB进行精抛。

    4.迈入样品制备的新世界

    • 结合飞秒激光与镓FIB的优势,可制备多种样品并助您完成多项任务,如大尺寸截面、TEM薄片和原子探针断层扫描样品、用于微压缩测试或同步辐射显微镜和纳米CT的微柱阵列等
    • 使用激光器加工宽度和深度达毫米级的超大截面
    • 使用激光精密深度切割技术去除材料的特定层
    • 使用预装配方查找高效激光加工的正确参数,或定义个性化工作流程
使用自动制备技术制备的TEM薄片阵列,一个薄片的宽度约为20 µm。Crossbeam 550。
使用自动制备技术制备的TEM薄片阵列,一个薄片的宽度约为20 µm。Crossbeam 550。

使用自动制备技术制备的TEM薄片阵列,一个薄片的宽度约为20 µm。Crossbeam 550。

使用自动制备技术制备的TEM薄片阵列,一个薄片的宽度约为20 µm。Crossbeam 550。

TEM薄片制备的工作流程

TEM薄片制备对于几乎每个FIB-SEM用户来说都至关重要。蔡司为特定位置的样品制备提供一个自动化工作流程,加工出的薄片非常适合原子分辨率程度的高分辨率TEM和STEM成像和分析。您可导航到样品的感兴趣区域(ROI),从大块样品中提取包括感兴趣区域(ROI)在内的TEM薄片,进行大体积切割或挖槽的步骤,并在适当的地方进行提取和减薄来完成工作流程。

  • 自动导航到样品的感兴趣区域(ROI)

    1.自动导航到样品的感兴趣区域(ROI)

    自动导航到样品的感兴趣区域(ROI)

    – 无需耗时搜索感兴趣区域(ROI)即可开始工作流程
    – 使用交换舱内的导航摄像头定位样品
    – 集成的用户界面可以轻松导航到您的感兴趣区域(ROI)
    – 从SEM的大型、无失真观察视野中受益

    1.自动导航到样品的感兴趣区域(ROI)

    • ● 无需耗时搜索感兴趣区域(ROI)即可开始工作流程
    • ● 使用交换舱内的导航摄像头定位样品
    • ● 集成的用户界面可以轻松导航到您的感兴趣区域(ROI)
    • ● 尽享SEM大型、无失真的观察视野为您带来的优势
  • 利用FIB自动制样功能加工并成像。观察视野大小为76.22 µm。

    2.自动样品制备(ASP)可从大块样品中制备薄片

    利用FIB自动制样功能加工并成像。观察视野大小为76.22 µm。

    – 通过简单的三步流程开始制备:ASP
    – 定义配方,包括漂移校正、沉积以及粗切割和细切割
    – FIB镜筒的离子光学元件可实现工作流程的高通量
    – 复制配方并根据要求重复,以开始批量制备

    图像:制备好、可进行提取的铜样品薄片。利用FIB自动制样功能加工并成像。观察视野大小为76.22 µm。

    制备好、可进行提取的铜样品薄片。利用FIB自动制样功能加工并成像。观察视野大小为76.22 µm。

    2.自动样品制备(ASP)可从大块样品中制备薄片

    • ● 通过简单的三步流程开始制备:ASP
    • ● 定义配方,包括漂移校正、沉积以及粗切割和细切割
    • ● FIB镜筒的离子光学元件可实现工作流程的高效率
    • ● 复制配方并根据要求重复,以开始批量制备
  • 将带TEM薄片的机械手的针从大块样品中取出。

    3.提取

    将带TEM薄片的机械手的针从大块样品中取出。

    – 装入机械手并将薄片连接到其尖端
    – 从大块样品上切下薄片
    – 然后可提取薄片并运送至TEM网格

    图像:蔡司Crossbeam中TEM薄片制备工作流程的一部分。将带TEM薄片的机械手的针从大块样品中取出。

    蔡司Crossbeam中TEM薄片制备工作流程的一部分。将带TEM薄片的机械手的针从大块样品中取出。

    3.提取

    • ● 装入机械手并将薄片连接到其尖端
    • ● 从大块样品上切下薄片
    • ● 然后可提取薄片并运送至TEM网格
  • 最终减薄后硅胶样品的TEM薄片

    4.减薄:最后一步极其关键,因为它决定了您TEM薄片的质量

    最终减薄后硅胶样品的TEM薄片

    – 该设备的设计使您能够通过实时监测减薄过程来达到所需的薄片厚度
    – 同时使用两个探测器信号来判断薄片的厚度,一方面可以获得可重复制作的最终厚度(使用SE探测器),另一方面可以控制表面质量(使用Inlens SE探测器)
    – 制备高质量样品,其非晶化可忽略不计

    图像: 最终减薄后硅胶样品的TEM薄片

    最终减薄后硅胶样品的TEM薄片

    4.减薄:最后一步极其关键,因为它决定了您TEM薄片的质量

    • ● 该设备的设计使您能够通过实时监测减薄过程来达到所需的薄片厚度
    • ● 同时使用两个探测器信号来判断薄片的厚度,一方面可以获得可重复制作的最终厚度(使用SE探测器),另一方面可以控制表面质量(使用Inlens SE探测器)
    • ● 制备高质量样品,其非晶化可忽略不计

冷冻条件下的TEM薄片制备和体积成像

冷冻电镜技术可以检查接近原生状态的细胞结构。然而,用户面临着一些复杂的挑战,如冷冻样品制备、去玻璃化、冰污染、样品丢失或不同成像模式之间无法关联。蔡司冷冻关联工作流程通过简单易用的无缝工作流程,将宽场、激光共聚焦和聚焦离子束扫描电子显微镜相关联。它还针对冷冻关联工作流程的需求对软硬件进行了优化,从荧光大分子的定位到高衬度体积成像以及冷冻透射电子断层扫描的薄片样品制备。

  • 接近原生状态的成像I)

    接近原生状态的成像

    • ● 多模式间无缝衔接的冷冻关联工作流程
    • 保护样品不受到去玻璃化和冰污染的影响
    • 高分辨率荧光成像
    • 高衬度冷冻体积成像和三维重构
    • 用于冷冻透射的薄片制备
    • ● 用于满足冷冻和室温情况下的多种需求
  • 精简的工作流程,帮助您专注于研究

    精简的工作流程,帮助您专注于研究

    Correlative Cryo Workflow(冷冻关联工作流程)让您可以在冷冻条件下掌握具有挑战性的不同成像模式组合。这一工作流程解决方案将光学和电子显微镜连接起来,实现了冷冻体积成像和冷冻TEM薄片的高效制备。专用配件精简了工作流程,方便冷冻样品在显微镜之间的安全转移。蔡司ZEN Connect可保障数据管理,让您对整个工作流程的数据都了如指掌。一系列处理工具帮助您增强成像结果。

  • 双重标记酵母细胞(CNM67-tdTomato和NUP-GFP)。LSM图像(左)和Crossbeam图像(右)。
    双重标记酵母细胞(CNM67-tdTomato和NUP-GFP)。LSM图像(左)和Crossbeam图像(右)。  瑞士苏黎世联邦理工学院的M. Pilhofer
    瑞士苏黎世联邦理工学院的M. Pilhofer

    双重标记酵母细胞(CNM67-tdTomato和NUP-GFP)。

    LSM图像(左)和Crossbeam图像(右)。

    双重标记酵母细胞(CNM67-tdTomato和NUP-GFP)。

    出色的部件为您提供高质量的数据

    借助兼容低温的冷冻物镜和Airyscan探测器的高灵敏度,蔡司LSM系统让您能够以高分辨率检测蛋白质和细胞结构,同时低光毒性的照明和恒定低温系统可防止您的样品产生去玻璃化效应。无需对您的样品进行重金属染色,Crossbeam FIB-SEM便可为您呈现高衬度的体积成像。这两种模式都提供了宝贵的功能和结构信息,无论您是否跟进后续的TEM研究,都可以对超微结构有全面的了解。

  • 配备冷冻设备的分析测试平台

    4.减薄:最后一步极其关键,因为它决定了您TEM薄片的质量

    配备冷冻设备的分析测试平台

    4.减薄:最后一步极其关键,因为它决定了您TEM薄片的质量

    多用途解决方案,保证您成像设备的效率

    与其他解决方案不同,工作流程中所涉及的蔡司显微镜不仅可以用于冷冻电镜,还可以用于室温应用,这在显微镜并非完全只用于冷冻实验时尤为有利。用户无需专业技术知识,即可快速将设备从冷冻切换到室温使用。该灵活性让您有更多的时间进行实验,而成像设备让您拥有更高的利用率和更快的投资回报。

深入了解Crossbeam技术

了解两种SEM镜筒Gemini 1和2型以及FIB镜筒Ion-Sculptor的所有信息。
了解表面敏感成像技术、强大的分析能力和新型FIB加工方法。

  • SEM电子光学系统 ​

    有两种镜筒可供选择

    和所有蔡司FE-SEM一样,Crossbeam的FE-SEM镜筒基于Gemini 1 VP镜筒的电子光学系统。有Crossbeam 350的Gemini VP镜筒或Crossbeam 550的Gemini 2镜筒可供选择。

    FE-SEM专为高分辨率成像设计,性能的一个关键是其电子光学镜筒。Gemini技术支持所有蔡司FE-SEM和FIB-SEM,它经特别设计,旨在为您呈现任何样品的优异分辨率(尤其在低加速电压下),可实现完整高效的探测,且操作简单。

    Gemini电子光学系统有以下三个主要特征

    • Gemini物镜的设计结合了静电场与电磁场,在大幅提升光学性能的同时大大降低了对样品的影响。如此也可实现对磁性材料等具有挑战性的样品的高品质成像。
    • Gemini电子束推进器技术是一种集成光束减速器,确保了小尺寸的电子束斑和高信噪比。
    • Gemini Inlens的探测设计原理通过同时探测二次电子(SE)和背散射电子(BSE),大幅缩短到图像的时间,确保了高效的信号探测。

    从您的FIB-SEM应用中受益

    • SEM电子束对准可长期保持稳定,改变探针电流和加速电压对系统几乎没有影响
    • 无磁场泄露的光学系统可实现大视野无失真高分辨率成像
    • 样品倾斜转动时不影响电子光学系统的性能
    蔡司Crossbeam 550:Gemini镜筒配有双聚光镜和两个Inlens探测器。
    蔡司Crossbeam 550:Gemini镜筒配有双聚光镜和两个Inlens探测器。

    蔡司Crossbeam 350:Gemini镜筒配备单聚光镜、两个Inlens探测器,具有可变压力功能。

    带Gemini 1 VP的Crossbeam 350

    • ✔ 提供可变压力(VP),在多用途环境中具有更广的样品适用性。
    • ✔ 可实现放气或荷电样品的原位实验。
    • ✔ 利用Inlens EsB探测器实现Gemini材料成分衬度
    蔡司Crossbeam 550:Gemini镜筒配有双聚光镜和两个Inlens探测器。
    蔡司Crossbeam 550:Gemini镜筒配有双聚光镜和两个Inlens探测器。

    蔡司Crossbeam 550:Gemini镜筒配有双聚光镜和两个Inlens探测器。

    带Gemini 2的Crossbeam 550

    • ✔ 基于双聚光镜系统,在低电压大束流下仍可获得高分辨率图像。
    • ✔ 通过高分辨率成像及快速分析技术可在短时间内获得更多信息。
    • ✔ 使用Inlens SE和EsB(能量选择背散射)探测器实现形貌及材料成分衬度同时成像
  • 受益于高度灵敏的表面成像

    当前的SEM应用需要以低着陆能量为标准进行高分辨率成像,它对以下方面至关重要:

    • 光束敏感样品
    • 非导电材料
    • 获得真实样品表面信息,而不受样品更深层背景信号的干扰

    新型Gemini光学系统得到了优化,可实现低电压和极低电压条件下的分辨率,并可增强衬度。其特点是包含了高分辨率电子枪模式和可选的样品台减速技术(Tandem decel)。

    • 高分辨率电子枪模式将电子束最初能量宽度降低30%,以尽可能减小色差,提高图像分辨率。
    样品台减速技术可选样品台偏压高达5 kV,进一步提高了低电压下的出色成像能力。
    样品台减速技术可选样品台偏压高达5 kV,进一步提高了低电压下的出色成像能力。

    样品台减速技术可选样品台偏压高达5 kV,进一步提高了低电压下的出色成像能力。

    样品台减速技术可选样品台偏压高达5 kV,进一步提高了低电压下的出色成像能力。

    样品台减速技术(Tandem decel)的工作原理

    样品台减速技术(Tandem decel)采用两步式电子束减速模式,将电子束推进器技术和对样品施加的高负偏压相结合,以此使入射束的电子减速,进而有效降低着陆能量。为Crossbeam 350/550提供的样品台减速技术可在两种不同模式下使用:施加50 V到100 V之间的可变负偏压以增强图像衬度;施加1 kV到5 kV之间的负偏压来提高图像的低电压分辨率。

  • 蔡司Crossbeam 550配有Gemini II镜筒,包括双聚光镜和两个Inlens探测器以及一个以54°倾斜角度装置的FIB镜筒。
    蔡司Crossbeam 550配有Gemini II镜筒,包括双聚光镜和两个Inlens探测器以及一个以54°倾斜角度装置的FIB镜筒。

    蔡司Crossbeam 550配有Gemini II镜筒,包括双聚光镜和两个Inlens探测器以及一个以54°倾斜角度装置的FIB镜筒。

    蔡司Crossbeam 550配有Gemini II镜筒,包括双聚光镜和两个Inlens探测器以及一个以54°倾斜角度装置的FIB镜筒。

    了解一种全新的FIB处理方式

    Ion-sculptor FIB镜筒可在不影响加工精度的情况下加快您的FIB工作,让您尽享该设备对任何样品的低电压性能所带来的优势。

    Crossbeam系列配有新一代聚焦离子束镜筒Ion-sculptor,具有针对高通量的高电流,以及可实现样品高质量的出色低电压。

    • 充分利用Ion-sculptor FIB镜筒在低电压下的出色性能来提升样品质量
    • 尽可能减少样品的非晶化并在减薄后获得出色结果
    • 产品具备全面稳定性,确保获得精准且可重复的结果
    • 通过快速探针电流交换加速FIB应用
    • 借助高达100 nA的电子束流进行高通量实验
    • 实现小于3 nm的出色的FIB分辨率
    • Crossbeam系列配有用于长期实验的自动FIB发射恢复功能
菲涅尔波带片,纳米加工示例。

材料科学中的应用

开发新材料、理解并调整其物理和化学特性。探索来自纳米科学、工程和能源材料的应用实例。了解Crossbeam如何进行样品的二维和三维制备、成像和分析。​

 

图片说明:菲涅尔波带片,纳米加工示例。

材料科学中的应用

工程材料

使用Crossbeam laser的飞秒激光、全自动加工、批量制备而成的高熵合金压缩测试微柱阵列。
高熵合金
由FIB制备的用于电池接点的银/镍/铜分层结构的截面,在四模式下使用所有探测器在1 kV时同时成像,顺时针从左上到右下:Inlens SE、SE、Inlens EsB、Inlens SE和SE组合,样品由德国斯图加特大学材料测试研究所的D. Willer提供。
多层金属
使用预装激光加工配方高效工作:铜样品中的粗沟槽。这种尺寸在毫米级的大沟槽用于粗略的预切割,去除率非常高,但表面光洁度低,随后将进行精细切割和抛光。
使用Crossbeam laser获得。
铜中的粗沟槽
使用预装激光加工配方高效工作:钢样品中的抛光沟槽。经过粗加工和精加工沟槽后,最终通过抛光优化侧壁质量。它揭示了金属样品的微观结构。使用Crossbeam laser获得。
钢中的抛光沟槽

能源材料

结合EDS分析的废旧固体氧化物电解电池的FIB-SEM三维断层扫描,感兴趣区域的下边长为38 µm。样品由瑞士洛桑联邦理工学院(EPFL)的M. Cantoni提供。
固体氧化物电解电池
研究微量浓度的碱金属元素,已知这些元素可以提高太阳能电池的效率。CIGS(铜铟镓硒)太阳能电池,左:截面的伪彩SEM图像(从上到下:ZnO:Al蓝色,ZnO灰色,CdS黄色,CIGS紫色,Mo绿色,玻璃基材浅灰色,图像宽度2.12 µm);SIMS图(右)。​
使用SIMS研究CIGS太阳能电池​

纳米材料​

在硅基底上用FIB加工的纳米流体通道,细节:曲折形通道(图像宽度55 µm)。样品提供者:德国汉堡纳米结构和固态物理研究所的I. Fernández-Cuesta。
微流体和纳米流体
使用Crossbeam和Atlas 5 NPVE Advanced通过纳米加工而成的筛状波带片。Atlas 5以单幅32k × 24k像素大小的图像进行采集。
筛状波带片​
由Crossbeam激光制成的硅样品。
通过离子束诱导沉积标记了特定区域,并进行制备。首先,通过激光加工将微柱与大块样品分离。随后,通过FIB切割加工成形。
原子探针断层扫描(APT)
从商业购买的三维NAND样品中获取的FIB-SEM断层扫描数据集。

电子元件和半导体中的应用

了解Crossbeam在电子和半导体制造领域的应用。

电子元件和半导体中的应用
从商业购买的三维NAND样品中获取的FIB-SEM断层扫描数据集。
从商业购买的三维NAND样品中获取的FIB-SEM断层扫描数据集。

3D NAND——FIB-SEM断层扫描​

使用Crossbeam 550和Atlas 5的三维断层扫描模块从商业购买的三维NAND样品中获取的FIB-SEM断层扫描成像数据集。样品包装已打开,且被机械抛光至顶端字行处。图片显示的是2 x 1.5 x 0.7 µm3大小的虚拟子体积,从上层到下层过渡区域的数据集中提取。重构的体素大小为4 x 4 x 4 nm3

绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件分析完全在Crossbeam 550上进行
绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件分析完全在Crossbeam 550上进行

电力电子元件——绝缘栅双极晶体管器件分析

绝缘栅双极晶体管(IGBT)器件分析完全在Crossbeam 550上进行。薄片的明场30 kV STEM-in-SEM图像与Crossbeam中的EDS元素分布成像相结合,揭示了晶体硅沉淀物。

左:使用激光烧蚀和FIB抛光制备的三维集成电路。右:microbump的背散射电子图像。
左:使用激光烧蚀和FIB抛光制备的三维集成电路。右:microbump的背散射电子图像。

三维堆叠芯片互连分析

Crossbeam laser可高质量快速提供三维集成电路(IC)封装中直径为25 μm的铜柱microbump及埋入860 µm深的BEOL结构的截面,获得结果的总时间不到1小时。左:使用激光烧蚀和FIB抛光制备的三维集成电路。右:microbump的背散射电子图像。

通过Crossbeam的飞秒激光进行快速沟槽制备,以及在最终尖端锐化过程中进行低电压(kV)离子切割的同时通过实时SEM成像进行终点检测,使原子探针断层扫描能够进行三维原子级分析。​
通过Crossbeam的飞秒激光进行快速沟槽制备,以及在最终尖端锐化过程中进行低电压(kV)离子切割的同时通过实时SEM成像进行终点检测,使原子探针断层扫描能够进行三维原子级分析。​

原子探针样品的制备​

通过Crossbeam的飞秒激光进行快速沟槽制备,以及在最终尖端锐化过程中进行低电压(kV)离子切割的同时通过实时SEM成像进行终点检测,使原子探针断层扫描能够进行三维原子级分析。

秀丽隐杆线虫的三维体积,由10,080个z截面组成,体素为5 x 5 x 8 nm

生命科学中的应用

了解Crossbeam在生命科学研究不同领域中的应用。

生命科学中的应用

细胞生物学——HeLa细胞

研究单个细胞中的亚细胞结构。单个HeLa细胞在培养皿中生长、进行化学固定并用EPON树脂包埋。体素尺寸:5 × 5 × 8 nm,Inlens EsB探测器,1400个切片。利用ORS Dragonfly Pro进行三维成像。提供者:德国海德堡欧洲分子生物实验室(EMBL)的A. Steyer和Y. Schwab。

神经科学——脑切片

利用Atlas 5的三维 断层扫描模块对脑切片进行大面积切割及成像。高电流允许对宽度高达150 μm的大观察视野进行快速切割和成像。 所观察的脑区域的观察视野宽度为75 μm,使用20 nA射束电流进行切割。提供者:瑞士巴塞尔Friedrich Miescher研究所(FMI)的C. Genoud。

发育生物学——秀丽隐杆线虫

Atlas 5以其高分辨率和可靠性帮助您了解整个生物体在三维空间的形态。该数据集显示了秀丽隐杆线虫的大型三维体积,由10,080个z截面组成,体素为5 × 5 × 8 nm。线虫利用高压冷冻处理EPON包埋,提供者:德国海德堡欧洲分子生物实验室(EMBL)的A. Steyer和Y. Schwab以及德国维尔茨堡大学的S. Markert和C. Stigloher。

配件

可视化和分析软件:蔡司推荐Dragonfly Pro

可视化和分析软件:蔡司推荐Dragonfly Pro

ORS Dragonfly Pro是一款用于高级分析和可视化处理的软件解决方案,适用于通过X射线、FIB-SEM和SEM等各种技术采集的三维数据。ORS Dragonfly Pro由蔡司独家供应,为可视化和分析大型三维灰度数据提供了一个直观、完整、可量身定制的工具包。您可用Dragonfly Pro对三维数据进行导航、注释以及创建包括视频在内的媒体文件,还可执行图像处理、图像分割和对象分析来量化结果。

引进ToF-SIMS实现高效率三维分析​

引进ToF-SIMS实现高效率三维分析​

将ToF-SIMS(飞行时间二次离子质谱仪)质谱仪与Crossbeam 350或Crossbeam 550结合,以分析痕量元素、轻元素(如锂)和同位素。它可进行灵敏而深入的三维探测,执行元素面分布及深度剖析。您可尽享低至ppm级的原子和分子离子的并行探测为您带来的优势(横向分辨率优于35 nm,纵向分辨率优20 nm)。之后可从感兴趣区域(ROI)检索任何信号。

 

下载

    • ZEISS Atlas 5

      Your Solution for Automated Image Acquisition, Data Correlation and Multi-modal 2D & 3D Workflows

      页: 28
      文件大小: 8 MB
    • ZEISS Crossbeam Family

      Your FIB-SEM for High Throughput 3D Analysis and Sample Preparation

      页: 25
      文件大小: 8 MB
    • Identify, Access, Prepare, Analyze Your Sample with Precise Navigational Guidance

      页: 2
      文件大小: 651 KB
    • Reduced Energy Consumption

      Optimized Operating Efficiency

      页: 2
      文件大小: 340 KB
    • ZEISS Crossbeam Family

      Introducing ToF-SIMS enables High Throughput in 3D Analysis

      页: 2
      文件大小: 1 MB
    • ZEISS Crossbeam laser FIB-SEM

      Rapidly access site-specific features buried deeply within IC packages

      页: 2
      文件大小: 1 MB
    • ZEISS ORS Dragonfly

      Outstanding 3D visualization with best-in-class graphics

      页: 2
      文件大小: 689 KB
    • ZEISS Microscopy Solutions for Steel and Other Metals

      Multi-modal characterization and advanced analysis options for industry and research

      页: 11
      文件大小: 14 MB
    • ZEISS Solutions for Semiconductor Development, Manufacturing, and Analysis

      Accelerating Digital Transformation and Innovation for Semiconductor Electronics

      页: 24
      文件大小: 13 MB
    • Correlation of Two-Photon in Vivo Imaging and FIB-SEM Microscopy

      页: 6
      文件大小: 1 MB
    • High Throughput Imaging with

      ZEISS Crossbeam 550

      页: 5
      文件大小: 1 MB
    • Reproducible TEM Lamella Thinning by FIB with Real-time Thickness Control and End-point Detection

      页: 5
      文件大小: 1 MB
    • Targeted Sample Preparation with ZEISS Crossbeam laser

      页: 7
      文件大小: 3 MB
    • FIB-SEM Investigations of the Microstructure of CIGS Solar Cells

      ZEISS Crossbeam

      页: 7
      文件大小: 1 MB
    • Rapid Sample Preparation for EBSD-analysis

      Enabled by the LaserFIB

      页: 7
      文件大小: 6 MB
    • X² STEM Lamella Preparation from Multi-composite Organic Electronic Devices with ZEISS FIB-SEMs

      页: 6
      文件大小: 883 KB
    • ZEISS Crossbeam Family

      High Resolution STEM and EDS Study of Chromium Depletion in Stainless Steel

      页: 5
      文件大小: 1 MB
    • ZEISS Microscopy Solutions for Geoscience

      Understanding the fundamental processes that shape the universe expressed at the smallest of scales

      页: 9
      文件大小: 15 MB
    • ZEISS Microscopy Solutions for Oil & Gas

      Understanding reservoir behavior with pore scale analysis

      页: 8
      文件大小: 7 MB

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