光子学

随着摩尔定律接近极限，未来纳米级器件的制造面临着更大的挑战。由于量子力学隧穿等效应，科学家们无法进一步缩小这些器件的尺寸。相反，通过研究垂直堆叠晶体管（如3D NAND）等不同材料和技术，可以为推进这些应用发展提供所需的处理能力。  

用于光子学应用的纳米材料采用薄膜、纳米线、量子点和其他低维结构的形式。这些材料的光学特性取决于其确切大小、尺寸和结晶度。例如，单晶材料通常会表现出比多晶材料更低的等离子体损失。这推动了等离子体单晶金属器件的制造发展。 

研究用于光子学应用的低维材料的结构和理化特性需要专用工具。此外，在制造过程中要确保高空间精度。但标准SEM系统存在局限性，例如低电压下的分辨率不佳，以及荷电效应和光束致样品损坏。在使用标准镓离子FIB制造结构时，会形成约50 nm量级的特征尺寸，但是这一尺寸太大，无法利用量子限制效应。 

为了解决这些挑战，您不仅需要能够在低电压下提供高性能、亚10 nm级成像的工具，还需要能够以相同的长度沉积或制造结构，以利用量子限制效应。蔡司显微镜提供强大的关联工作流程，可帮助您以高保真度对亚10 nm结构进行图案化，并在不造成光束损坏的情况下以高分辨率对其表面进行成像。SEM中的STEM还为您提供极为出色的功能，分辨率低至0.4 nm。此外，SEM现可配备STEM断层扫描功能，在弥补与TEM差距的基础上提高了易用性。