三维堆叠芯片互连,铜柱microbump埋深760 µm,截面在一小时内完成。蔡司Crossbeam激光器。
用于纳米材料和纳米科学的显微镜应用

半导体和电子学研究

使未来电子、网络安全和量子计算器件成为现实

纳米技术为电子学、网络安全和量子计算等各行各业带来了许多令人难以置信的进步。多年来,这些进步由摩尔定律和晶体管尺寸的持续小型化推动,逐渐促使研究人员开发速度更快、体积更小、功能更强大的器件。

随着摩尔定律接近极限,未来纳米级器件的制造面临着更大的挑战。由于量子力学隧穿等效应,科学家们无法进一步缩小这些器件的尺寸。相反,通过研究垂直堆叠晶体管(如3D NAND)等不同材料和技术,可以为推进这些应用发展提供所需的处理能力。

无法轻松表征的器件  

如果您是一名从事电子学、网络安全或量子计算研究的科学家,肯定知道3D NAND等结构中深埋的位点多么难以触及。但通过在FIB-SEM内进行正确的激光切割工作流程,您可以快速轻松地触及这些区域,同时将对样品的损坏降至极低。FIB-SEM内的三维断层扫描还可以帮助您获得使用标准工具通常无法得到的样品关键信息。

网络安全方面的挑战在于以高分辨率和高像素密度对大型处理器芯片进行成像。这些芯片需要在标准成像解决方案无法处理的大面积区域进行成像。对此的解决方案是无人值守(自动)的成像软件和硬件,您可以借助它们快速获取这些大面积区域的图像。量子计算方面的挑战在于开发亚10 nm结构并对其进行成像,以便在特定位置创造空位。

下步举措

蔡司显微技术解决方案使您能够解决电子学、网络安全和量子计算研究中面临的紧迫挑战。例如,专为全天候连续可靠运行而设计的蔡司MultiSEM就是全球范围内最快的SEM设备之一。其提供多达91条并行电子束的采集速度,能够以纳米分辨率对厘米级样品进行成像。 

蔡司Crossbeam FIB-SEM模块化平台可在低电压下结合高FIB样品通量进行高性能SEM成像。您还能通过安装用于大规模材料切割的激光器等模块化方式升级FIB-SEM,从而让您的显微镜得以满足您的研究需求。

操作视频

  • LaserFIB

    引入大规模材料切割工作流程

  • Cut-to-ROI工作流程

    如何借助激光器制备TEM样品


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