不良解析と3Dデバイス特性評価

フェムト秒レーザーは、数分でミリメートル規模の体積を除去し、スループットを向上させるとともに、XRM、APTピラー、および大面積TEMラメラ作製のための深部デバイス構造への迅速なアクセスを可能にします。これにより、EBSDおよびEDSに対応したクリーンな断面が得られ、FIBは最終研磨のみに使用されるため、時間短縮と潜在的なダメージの低減が図れます。

ZEISS LaserFIBでできること

• 深部にある構造へ迅速にアクセス。
• 幅・深さともにミリメートルスケールの断面を作製。
• 超短パルスレーザーにより、ダメージおよび熱影響を最小化。
• X線顕微鏡データセットとの相関分析による隠れた関心領域の特定。
• ワークフローを自動化し、FIBチャンバーへシームレスに移行。
  

ZEISS Crossbeamには2種類のチャンバーサイズが用意されており、解析、イメージング、および試料改質機能を拡張します。大型チャンバー構成では、最大200mmの大型試料およびフルウェハの処理に対応し、半導体ワークフローにおいてより高い柔軟性を実現します。

特長

• 150 mmまたは200 mmステージ：標準仕様またはオプションの高精度（HP）ステージ
• 200 mmエアロックと延長レールにより、ウェハをスムーズに移送
• フルウェハイメージングおよび高速ROIナビゲーションのためのNavCamライザー
• ウェハとチャンバー／カラムの干渉を防止する内蔵安全装置
• 500 g超の重量物にも対応する堅牢なロッド／ホルダーシステムによる高荷重移送能力
  

CrossbeamのFE-SEMカラムには、フィールドフリー対物レンズを備えたGemini電子光学系が採用されています。これにより、強い磁場への曝露を防ぎ、傾斜時であっても広い視野にわたって歪みのない高分解能イメージングを実現するとともに、繊細な半導体解析においても試料の完全性を維持します。

• Gemini 1：Crossbeam 350に搭載。柔軟性を提供し、帯電やアウトガスを示す試料向けの低真空イメージングに対応。
• Gemini 2：Crossbeam 550に搭載。低加速電圧での高分解能イメージングを実現するとともに、要求の厳しい分析および試料作製ワークフローに必要なビーム電流に対応。
• Gemini 4：Crossbeam 750に統合。傾斜時でも低加速電圧での分解能およびSNRを大幅に向上させると同時に、高分解能SEM条件下で低エネルギーFIBプローブに対する対物レンズの影響を低減。

Ion-sculptor FIB
Ion-sculptor FIBカラムは1pA〜100nAの範囲に対応しており、単一のスケーラブルなワークフロー内で迅速なバルク除去と制御された低エネルギー仕上げを可能にします。